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IRF640LPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF640N

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A)

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRF

International Rectifier

IRF640N

N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRateingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF640N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF640N

IR
TO-220/TO-263

IRInternational Rectifier Corporation，IRC

國際整流器美國國際整流器公司

相關(guān)企業(yè)：深圳市弘為電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF640LPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-262
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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深圳原裝進口無鉛現(xiàn)貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-262
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Vishay Siliconix
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多IRF640LPBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 16:36:00

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