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IRF634N	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF634N	文件：301.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.435ohm,Id=8.0A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF634NL	文件：301.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.435ohm,Id=8.0A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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IRF634NLPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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IRF634NPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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IRF634NS	文件：301.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.435ohm,Id=8.0A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF634NS	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF634A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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