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IRF630N中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	IRF630N
功能描述	Fast Switching Speed
文件大小	1.58717 Mbytes
頁面數(shù)量	2 頁
生產(chǎn)廠商	KERSEMI
網(wǎng)址	網(wǎng)址
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更新時間	2025-8-12 20:57:00
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IRF630N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

● Drain Current –ID=9.3A@ TC=25℃

● Drain Source Voltage-

: VDSS= 200V(Min)

● Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.3Ω(Max)

● Fast Switching Speed

● Low Drive Requirement

APPLICATIONS

● This device is n-channel, enhancement mode, power MOSFET designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies,UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.

產(chǎn)品屬性

型號：
IRF630N
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
功能描述：
MOSFET N TO-220

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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