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IRF540

N -Channel Power MOSFET (100V/27A)

GENERALDESCRIPTION ItusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Thisdeviceissuitableforhighcurrentloadapplications. FEATURE ●Highcurrentrating ●UltralowerRDS(on) ●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS ●Excellentpack

FS

First Silicon Co., Ltd

IRF540

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=30A,RDS(ON)≤70m?@VGS=10V 2)Lowgatecharge. 3)Greendeviceavailable. 4)Advancedhig

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

IRF540

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF540

TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Lead(Pb)-freeAvailable

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

IRF540

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=77mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedespeciallyforhi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF540

N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET? II POWER MOSFET

DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronics uniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesigned tominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itis thereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency, high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfor Telecoman

SYC

SYC Electronica

IRF540

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF540

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF540

N-CHANNEL 100V - 0.055廓 - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

IRF540_V01

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF540

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 28 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
XY/星宇佳
21+
TO-220
19851
自主品牌 量大可定
 詢價
VISHAY/威世
25+
TO-220
45000
VISHAY/威世全新現(xiàn)貨IRF540即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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23+
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專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定
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2015+
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公司現(xiàn)貨庫存
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IR(國際整流器)
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IR(國際整流器)
24+
N/A
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原廠可訂貨,技術支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價
更多IRF540供應商 更新時間2025-7-27 17:30:00

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