IRF540中文資料杜因特?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF540 |
| 功能描述 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology |
| 文件大小 |
1.15286 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | DOINGTER |
| 中文名稱 | 杜因特 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 15:14:00 |
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IRF540規(guī)格書詳情
Description：
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
Features：
1) VDS=100V,ID=30A,RDS(ON)≤70m? @VGS=10V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF540
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2020+ |
TO-220 |
5000 |
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24+ |
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18+ |
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1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
IR |
22+ |
NA |
34 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
