IRF351中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF351規(guī)格書詳情
FEATURES
● Low RDS(on)
● Improved inductive ruggedness
● Fast switching times
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Low input capacitance
● Extended safe operating area
● Improved high temperature reliability
● TO-3 package (Standard)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF351
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO263 |
15093 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
IR |
05+ |
原廠原裝 |
18751 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
D2PAK |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
9600 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
TO-263 |
68500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
24+ |
N/A |
69000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 |
