IRF350中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF350 |
| 功能描述 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 文件大小 |
212.49 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | SAMSUNG |
| 中文名稱(chēng) | 三星 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 17:34:00 |
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FEATURES
● Low RDS(on)
● Improved inductive ruggedness
● Fast switching times
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Low input capacitance
● Extended safe operating area
● Improved high temperature reliability
● TO-3 package (Standard)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF350
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
- 功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 14A 2PIN TO-204AA - Bulk
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
- 制造商：
Intersil Corporation
- 功能描述：
MOSFET N TO-3 ((NW))
- 功能描述：
MOSFET, N TO-3 ((NW))
- 功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 14A, TO-204AA; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
14A; Drain Source Voltage
- Vds：
400V; On Resistance
- Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V; No. of
- Pins：
2;RoHS
- Compliant：
No
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF350 |
7 |
7 |
詢(xún)價(jià) | ||||
IR |
24+ |
TO-247 |
3200 |
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詢(xún)價(jià) | ||
QUALCOMM |
2016+ |
QFN |
9000 |
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詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
NA |
10 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-3 |
16800 |
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詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2015+ |
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19889 |
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25+ |
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詢(xún)價(jià) | ||
IR |
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IR |
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原廠封裝 |
9888 |
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詢(xún)價(jià) | ||
IR |
98+ |
TO-204 |
2500 |
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詢(xún)價(jià) |
