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IRF230中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF230
廠商型號

IRF230

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

212.01 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

SAMSUNG三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
SAMSUNG
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-3 23:00:00

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IRF230規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fsat switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF230

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 200V 9A 2PIN TO-204AA - Bulk

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-3

  • 功能描述:

    MOSFET, N, TO-3

  • 功能描述:

    Single N-Channel 200 V 75 W 39 nC Hexfet Transistores Through Hole - TO-204AA/AE

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A TO-204AA; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    9A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    200V; On Resistance

  • Rds(on):

    400mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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