IRF222中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IRF222 |
功能描述 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
文件大小 |
209.79 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | SAMSUNG |
中文名稱 | 三星 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-22 23:01:00 |
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FEATURES
? Low RDs ? Improved inductive ruggedness ? Fast switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capactiance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliablitiy ? TO-3 package (Standard)
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF222
- 制造商:
International Rectifier
- 功能描述:
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
10 |
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詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO204AA(TO3) |
7350 |
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IR |
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TO-3 |
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IR |
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TO-3 |
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IR |
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IR |
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IRF223 |
80 |
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IR |
24+ |
TO-3 |
10000 |
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IOR |
24+ |
DIP |
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