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IPTG063N15NM5中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPTG063N15NM5
廠商型號

IPTG063N15NM5

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

絲印標識

063N15N5

封裝外殼

PG-HSOG-8

文件大小

1.65361 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-7 23:00:00

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IPTG063N15NM5規(guī)格書詳情

特性 Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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