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IPTG011N08NM5中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPTG011N08NM5
廠商型號

IPTG011N08NM5

功能描述

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V

絲印標識

011N08N5

封裝外殼

PG-HSOG-8-1

文件大小

1.34933 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 15:17:00

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IPTG011N08NM5規(guī)格書詳情

特性 Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Ideal for high frequency switching and sync. rec.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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