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IPTC026N12NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPTC026N12NM6
廠商型號

IPTC026N12NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

絲印標識

026N12N6

封裝外殼

PG-HDSOP-16

文件大小

1.46154 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 14:49:00

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IPTC026N12NM6規(guī)格書詳情

特性 Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? High avalanche energy rating

? 175°C operating temperature

? Optimized for high frequency switching and Top side cooling

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon
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PG-HDSOP-16
15500
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
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