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IPT65R080CFD7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IPT65R080CFD7 |
| 參數(shù)屬性 | IPT65R080CFD7 封裝/外殼為8-PowerSFN；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：HIGH POWER_NEW |
| 功能描述 | 650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
1.4202 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找貨 | IPT65R080CFD7價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IPT65R080CFD7規(guī)格書詳情
IPT65R080CFD7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPT65R080CFD7晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
特性 Features
? Ultra-fast body diode
? 650V break down voltage
? Best-in-class RDS(on)
? Reduced switching losses
? Low RDS(on) dependency over temperature
Benefits
? Excellent hard commutation ruggedness
? Extra safety margin for designs with increased bus voltage
? Enabling increased power density solutions
? Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications
? Improved full load efficiency in industrial SMPS applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IPT65R080CFD7XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-HSOF-8-3
- 封裝/外殼：
8-PowerSFN
- 描述：
HIGH POWER_NEW
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TOLL |
7350 |
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詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PG-HSOF-8 |
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Infineon/英飛凌 |
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Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-HSOF-8 |
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原裝正品 |
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Infineon/英飛凌 |
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PG-HSOF-8 |
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H-PSOF-8-1 |
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