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首頁(yè)>IPS105N03LG>芯片詳情

IPS105N03LG_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-Channel 30V 35A OptiMOS3 TO251廣霖泰科技

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  • 廠家型號(hào)：

    IPS105N03LG

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    60000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-251

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-31 17:36:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IPS105N03LG品牌：INFINEON

只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨原盒原標(biāo)，力挺實(shí)單 價(jià)格美過(guò)西施 歡迎詢價(jià)

  • 芯片型號(hào)：

    IPS105N03LG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1236 kb

  • 資料說(shuō)明：

    OptiMOS3 Power-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    ：IPS105N03LG

  • 技術(shù)

    ：MOSFET（金屬氧化物）

  • 漏源電壓（Vdss）

    ：30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）

    ：35A（Tc）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

    ：4.5V，10V

  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    ：10.5 毫歐 @ 30A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）

    ：2.2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）

    ：14nC @ 10V

  • Vgs（最大值）

    ：±20V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）

    ：1500pF @ 15V

  • FET 功能

    ：-

  • 功率耗散（最大值）

    ：38W（Tc）

  • 工作溫度

    ：-55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型

    ：通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝

    ：PG-TO251-3

  • 封裝/外殼

    ：TO-251-3 短截引線，IPak

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市廣霖泰科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

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