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IPP65R190CFD

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhileoffering anextremelyfastandrobustbodydiode ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsf

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP65R190CFD

650V CoolMOS C6 CFD POWER Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS?CFD2seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Applic

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R190CFD

Marking：65F6190；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS?CFD2seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Applic

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R190CFD7

Marking：65R190F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device

Features ?Ultra-fastbodydiode ?650Vbreakdownvoltage ?Best-in-classRDS(on) ?Reducedswitchinglosses ?LowRDS(on)dependencyovertemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R190CFD7A

Marking：65A190F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSa CFD7A SJ Power Device

Features ?Latest650Vautomotivequalifiedtechnologywithintegratedfastbody diodeonthemarketfeaturingultralowQrr ?LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss ?100avalanchetested ?Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R190CFDA

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPP65R190CFD

  • 功能描述：

    MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPP65R190CFD供應商 更新時間2025-7-23 17:50:00

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