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IPP65R190CFD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPP65R190CFD
廠商型號(hào)

IPP65R190CFD

功能描述

650V CoolMOS C6 CFD POWER Transistor

文件大小

6.53687 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 17:02:00

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IPP65R190CFD規(guī)格書詳情

描述 Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS? CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation.

Applications

650V CoolMOS? CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server and Telecom.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPP65R190CFD

  • 功能描述:

    MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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