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IPP60R600E6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 由于非常低的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡(jiǎn)便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n;

?CoolMOS? E6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)所提供的器件具備了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 \n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R600E6

600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R600E6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdev

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP60R600E6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPD60R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R600E6

600VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R600E6

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220FPackage ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplicatio

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R600E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R600E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    TO-220

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    600.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    7.3A

  • Ptot?max：

    63.0W

  • IDpuls?max：

    19.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    20.5nC?

  • Rth?：

    2.0K/W?

  • RthJC?max：

    2.0K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低
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INFINEON/英飛凌
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只做原裝歡迎含稅交易,假一賠十,放心購(gòu)買
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INFINEON/英飛凌
24+
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原裝進(jìn)口假一罰十
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INFINEON/英飛凌
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TO-220
13000
全新原裝現(xiàn)貨
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Infineon(英飛凌)
24+
TO-220
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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INFINE0N
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TO-220-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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Infineon
1931+
N/A
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加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物
 詢價(jià)
更多IPP60R600E6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 11:07:00

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