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IPA60R600E6

600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R600E6

Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-220FPackage ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplicatio

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R600E6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開(kāi)關(guān)行為\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 由于非常低的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡(jiǎn)便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過(guò)實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n;

?CoolMOS? E6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)所提供的器件具備了快速開(kāi)關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗使開(kāi)關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 \n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R600E6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R600E6_14

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R600E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD60R600E6

600VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R600E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdev

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    TO-220 FullPAK

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    600.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    7.3A

  • Ptot?max：

    28.0W

  • IDpuls?max：

    19.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    20.5nC?

  • Rth?：

    4.5K/W?

  • RthJC?max：

    4.5K/W

  • RthJA?max：

    80.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IPA60R600E6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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