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IPP60R380E6中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

IPP60R380E6
廠商型號

IPP60R380E6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

1.00416 Mbytes

頁面數量

18

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
INFINEON
數據手冊

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更新時間

2025-8-5 10:04:00

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產品屬性

  • 型號:

    IPP60R380E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 10.6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
7000
原廠原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
inf原裝
24+
TO-220
30980
原裝現貨/放心購買
詢價
Infineon(英飛凌)
2021/2022+
SOIC8
7000
原廠原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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INFINEON
25+
TO-TO-220
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
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Infineon/英飛凌
21+
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Infineon(英飛凌)
24+
TO-220
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Infineon/英飛凌
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