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IPP60R280E6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPP60R280E6
廠商型號(hào)

IPP60R280E6

功能描述

600V CoolMOS E6 Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

6R280E6

封裝外殼

PG-TO220

文件大小

1.9811 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-5 20:00:00

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IPP60R280E6規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS E6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

特性 Features

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

? Very high commutation ruggedness

? Easy to use/drive

? JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free

Applications

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching

PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,

Lighting, Server, Telecom and UPS.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPP60R280E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 13.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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