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IPI60R190C6中文資料500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IPI60R190C6 |
| 功能描述 | 500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-9 10:10:00 |
| 人工找貨 | IPI60R190C6價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IPI60R190C6規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
CoolMOS? C6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)C6 器件具備了快速開(kāi)關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗使開(kāi)關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。
? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3
? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3
特性 Features
? 易于控制開(kāi)關(guān)行為
? 由于非常低的品質(zhì)因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低
? 非常高的換流堅(jiān)固性
? 使用簡(jiǎn)便
? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率
? 出色的可靠性和經(jīng)過(guò)實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性
? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高
? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低
優(yōu)勢(shì):
?
? 提升功率密度
? 提升可靠性
? 通用部件可在軟、硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲惺褂?br />? 提高輕載效率
? 提高在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的效率
? 改進(jìn)了易用性
? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩
?
應(yīng)用 Application
? 消費(fèi)品
? 適配器
? 電動(dòng)交通
? 服務(wù)器和通信的 PFC 階段
? 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
? 計(jì)算機(jī)電源
? 太陽(yáng)能
? 照明
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：IPI60R190C6
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- OPN
：IPI60R190C6XKSA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO262-3
- VDS max
：600 V
- RDS (on) @10V max
：190 m?
- ID @25°C max
：20.2 A
- QG typ @10V
：58 nC
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- VGS(th) min
：2.5 V
- VGS(th) max
：3.5 V
- Technology
：CoolMOS? C6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
23+ |
TO-262-3 |
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10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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INFINEON/英飛凌 |
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Infineon |
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PG-TO262-3 |
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