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首頁>IPI50CN10NGHKSA1>規(guī)格書詳情

IPI50CN10NGHKSA1中文資料MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon規(guī)格書

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廠商型號(hào)

IPI50CN10NGHKSA1

功能描述

MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-9 10:10:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :IPI50CN10NGHKSA1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • 技術(shù)

    :MOSFET(金屬氧化物)

  • 漏源電壓(Vdss)

    :100V

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))

    :20A(Tc)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

    :10V

  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)

    :50 毫歐 @ 20A,10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)

    :4V @ 20μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)

    :16nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    :±20V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)

    :1090pF @ 50V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :44W(Tc)

  • 工作溫度

    :-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型

    :通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :PG-TO262-3

  • 封裝/外殼

    :TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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