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IPW65R420CFD

650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW65R420CFD

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPX65R420CFD

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SLF65R420SJ

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半導(dǎo)體深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司

SLP65R420SJ

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半導(dǎo)體深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPD65R420CFD

  • 功能描述：

    MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IPD65R420CFD即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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Infineon(英飛凌)
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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