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IPD65R420CFD	文件：7.64783 Mbytes Page：21 Pages	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPI65R420CFD	文件：331.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhileoffering anextremelyfastandrobustbodydiode ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.42?·Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IPP65R420CFD	文件：7.64783 Mbytes Page：21 Pages	650VCoolMOSC6CFDPowerTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPW65R420CFD	文件：335.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤420m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

詳細參數

型號：
IPD65R420CFD
功能描述：
MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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