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IPB65R190C6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65c6190/marking.html">65C6190；Package：PG-TO263；Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB65R190C6

650V CoolMOS C6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB65R190C6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI65R190C6

650VCoolMOSC6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI65R190C6

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI65R190C6

ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPB65R190C6

  • 功能描述：

    MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
22048
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO263
5
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
JINGDAO/晶導(dǎo)微
23+
SMC
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
Infineon
23+
TO263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
INFINEON
1526+
TO263
89
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
INFINEON
原廠封裝
1000
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
 詢價(jià)
更多IPB65R190C6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:26:00

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