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IPI65R190C6

650V CoolMOS C6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI65R190C6

isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI65R190C6

絲印：65C6190；Package：PG-TO262；Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

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IPI65R190C6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于非常低的品質(zhì)因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低\n? 非常高的換流堅固性\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實踐驗證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價比更高\n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低\n\n\n優(yōu)勢:\n?\n ? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因為 PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n?\n;

CoolMOS? C6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)C6 器件具備了快速開關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3\n

InfineonInfineon Technologies AG

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IPL60R065C7

INFINEON
VSON-4

InfineonInfineon Technologies AG

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相關(guān)企業(yè)：深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPI65R190C6XKSA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO262-3

  • VDS max：

    650 V

  • RDS (on) @10V max：

    190 m?

  • ID @25°C max：

    20.2 A

  • QG typ @10V：

    73 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • VGS(th) min：

    2.5 V

  • VGS(th) max：

    3.5 V

  • Technology：

    CoolMOS? C6

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更多IPI65R190C6供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 16:12:00

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