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IPB50CN10NG_INFINEON/英飛凌_OptiMOS2 Power-Transistor坤融電子

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  • 廠家型號(hào)：

    IPB50CN10NG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    5000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-29 16:36:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IPB50CN10NG品牌：INFINEON/英飛凌

只做原廠渠道 可追溯貨源

  • 芯片型號(hào)：

    IPB50CN10NG

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    908.49 kb

  • 資料說明：

    OptiMOS2 Power-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：IPB50CN10NG

  • 技術(shù)

    ：MOSFET（金屬氧化物）

  • 漏源電壓（Vdss）

    ：100V

  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）

    ：20A（Tc）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

    ：10V

  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    ：50 毫歐 @ 20A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）

    ：4V @ 20μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）

    ：16nC @ 10V

  • Vgs（最大值）

    ：±20V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）

    ：1090pF @ 50V

  • FET 功能

    ：-

  • 功率耗散（最大值）

    ：44W（Tc）

  • 工作溫度

    ：-55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型

    ：表面貼裝

  • 供應(yīng)商器件封裝

    ：PG-TO263-3-2

  • 封裝/外殼

    ：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市坤融電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    黃先生

  • 手機(jī)：

    13510287235

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23990975

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層I

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