近期，全球存儲行業(yè)進入新一輪漲價周期，涵蓋 NAND 閃存與 DRAM。多家廠商已啟動價格上調(diào)與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整，供需格局明顯轉(zhuǎn)向賣方市場。以下為要點整理與行業(yè)脈絡梳理（避免冗詞與重復，便于轉(zhuǎn)發(fā)使用）。
一、渠道動態(tài)與價格節(jié)奏
SanDisk：面向全渠道與消費者產(chǎn)品上調(diào)價格10%+，即日起僅對新報價/新訂單生效，既有承諾不受影響；后續(xù)將定期評估并可能繼續(xù)調(diào)整。
美光：渠道端傳出短期停止報價，協(xié)議價取消，DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5 或上調(diào)20%–30%（預計停報約一周），以再定價匹配供需。
兆易創(chuàng)新：確認二季度起 DRAM 合約價上行，三季度延續(xù)，利基型 DRAM 收入下半年有望明顯增長。
二、價格驅(qū)動與品類分化
DRAM 與 NAND 同步具備上漲動能，但節(jié)奏不同：
DRAM：據(jù) CFM 閃存市場，近半年指數(shù)漲約72%。原廠自去年三季度起將傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)往 DDR5、HBM 等高毛利產(chǎn)品；今年4月起陸續(xù)停產(chǎn) DDR4、LPDDR4X 等舊制程，長尾需求難以完全覆蓋，二季度起 DDR4、LPDDR4X 拉漲并預計延續(xù)至年底。HBM 產(chǎn)能擠占疊加制程切換，DDR5、LPDDR5X 下半年趨緊，漲勢擴大至全線 DRAM。
NAND：整體仍低位，但服務器 NAND 因北美需求強勁與“高接受度”客戶優(yōu)先策略，國內(nèi)供給被擠占，四季度有望上調(diào)；移動端新品提高容量配置，供需趨緊。另有廠商退出部分移動 NAND（如 UFS 5.0）研發(fā)，份額將被其余供應商承接，四季度 mobile NAND 預計小幅上行。
展望：CFM 指出四季度或迎普漲，成為明年春季行情的基調(diào)鋪墊。
三、下游需求側(cè)變化
AI 服務器強勁：HPC、AI 訓練/推理帶動 HBM/DDR5 與企業(yè)級 SSD 需求，高規(guī)格、低功耗產(chǎn)品優(yōu)先供給頭部客戶。
手機端提容加速：高端機型起步容量提升，頂配拉高至 2TB 等，帶動 mobile NAND/LPDDR 系列用量。
客戶庫存修復：下游去庫告一段落，真實需求回歸，價格彈性顯現(xiàn)。
四、國內(nèi)廠商的應對與機會
供給缺口轉(zhuǎn)移紅利：海外原廠聚焦高利潤產(chǎn)品，利基 DRAM 讓位，國內(nèi)廠商切入窗口打開。
兆易創(chuàng)新（利基 DRAM）
價格自3月起上行，二季度漲幅顯著；毛利率自一季度起爬升至兩位數(shù)以上。
DDR4 8Gb 年初量產(chǎn)，趕上短缺期，已在 TV、工業(yè)等落地量產(chǎn)，DRAM 收入占比提升至60%以上；LPDDR4 小容量占比達兩位數(shù)。
目標：全年 DRAM 線收入同比增長50%+；數(shù)年內(nèi)爭取國內(nèi)利基 DRAM 市場約三分之一份額。
江波龍（Longsys）
判斷自2025年3月底起需求實質(zhì)回暖；受原廠謹慎供給影響，三季度服務器與手機存儲仍具上行動能。
企業(yè)級 PCIe SSD 與 RDIMM 已批量導入國內(nèi)頭部企業(yè)，布局 CXL 2.0、MRDIMM 等新形態(tài)內(nèi)存；發(fā)布 SOCAMM2，主打近 CPU 布局與能效/散熱優(yōu)勢，突破傳統(tǒng) RDIMM 瓶頸。
自研主控累計出貨超 8000 萬顆，UFS 4.1 正在多家 Tier1 驗證，全年出貨預計放量。
北京君正
側(cè)重汽車、工業(yè)醫(yī)療等高可靠細分，供給穩(wěn)定；汽車市場復蘇帶動存儲需求改善。
車規(guī)存儲市場約 20+ 億美金，智能座艙/自動駕駛帶來 LPDDR4 大容量需求（8G/16G/32G+）；新工藝 DDR4、LPDDR4 持續(xù)導入，有望帶來增長。
市場規(guī)模判斷：利基 DRAM 約百億美元體量，其中約一半為高可靠（車規(guī)/工業(yè)/醫(yī)療），另一半為低端消費。
五、供需與策略觀察
供給側(cè)：HBM 擠占、制程切換、舊品停產(chǎn)，疊加原廠審慎擴產(chǎn)，維持緊平衡；價格由長協(xié)與重點客戶定錨，渠道彈性加大。
需求側(cè)：AI、數(shù)據(jù)中心、車載智艙/智能駕駛、手機高配成為主動力；傳統(tǒng) PC 客顯性復蘇有限但高端配置拉動單位容量。
策略建議（給渠道/整機/方案商）
提前鎖定關鍵料（DDR5、LPDDR5X、企業(yè)級 NAND/SSD），拉長交期預期。
對舊制程（DDR4、LPDDR4/4X）做好替代與壽命管理，關鍵行業(yè)（車規(guī)/工業(yè)）關注 LTB 與兼容性驗證。
價格條款采用階梯或浮動機制，避免單點風險；庫存以“可覆蓋交付周期+安全庫存”為度。
關注國內(nèi)廠商在利基 DRAM 與主控/模組上的導入節(jié)奏，適時進行雙供布局。
高溫場景與能效訴求上，可評估 SOC/近內(nèi)存形態(tài)與新型模組（如 SOCAMM2、MRDIMM）的驗證計劃。
六、結(jié)論
本輪漲價由結(jié)構(gòu)性供給收縮與高端需求共振驅(qū)動，DRAM 漲幅領先，NAND 四季度跟漲可期。
海外原廠的產(chǎn)能與客戶優(yōu)先策略將繼續(xù)影響國內(nèi)供應，渠道價格不穩(wěn)定性上升。
國內(nèi)廠商在利基 DRAM、車規(guī)/工業(yè)與自研主控方向獲得窗口期，量價齊升可期，但需要把握質(zhì)量認證與長期供貨能力。
