存儲器類型易失

存儲器格式SRAM

技術(shù)SRAM - 異步

存儲容量4Mb

存儲器組織512K x 8

存儲器接口并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁10ns

訪問時間10 ns

電壓 - 供電4.5V ~ 5.5V

工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型表面貼裝型

封裝/外殼36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

供應商器件封裝36-SOJ