瀾起科技CXL 3.1內(nèi)存擴展控制器采用PCIe? 6.2物理層接口，支持最高64 GT/s的傳輸速率(x8通道)，并具備多速率、多寬度的兼容能力，可靈活拆分為2個x4端口，以滿足不同應用場景的需求。芯片內(nèi)置雙通道DDR5內(nèi)存控制器，支持速率高達8000 MT/s，顯著提升主機CPU與后端SDRAM或DIMM模塊之間的數(shù)據(jù)交換效率。
為提升系統(tǒng)智能化管理水平，該芯片還集成雙RISC-V微處理器，分別作為應用處理單元(APU)和安全處理單元 (SPU)，支持對DDR/CXL資源的動態(tài)配置、實時事件處理及硬件級安全管理。同時，芯片提供SMBus/I3C、SPI、JTAG等多種接口，便于系統(tǒng)集成和固件升級。
隨著云計算資源池化的需求迅猛增長，傳統(tǒng)內(nèi)存架構在帶寬和擴展性方面日益成為性能瓶頸。瀾起科技CXL3.1內(nèi)存擴展控制器利用CXL內(nèi)存池化技術，可幫助數(shù)據(jù)中心用戶實現(xiàn)內(nèi)存資源的彈性分配和高效利用，從而降低總體擁有成本(TCO)。
該芯片采用25mm x 25mm緊湊型封裝設計，兼容EDSFF (E3.S)和PCIe插卡 (AIC) 形態(tài)，可廣泛應用于服務器、全閃存陣列及邊緣計算等多種部署環(huán)境。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：“CXL 3.1內(nèi)存擴展控制器的推出，標志著我們在CXL技術領域的又一次實現(xiàn)領先突破。該芯片不僅大幅提升了內(nèi)存擴展的性能與能效，更依托標準化協(xié)議推動了解耦式內(nèi)存架構的發(fā)展，為下一代算力基礎設施中內(nèi)存資源的池化與共享奠定了堅實基礎?！?br>
目前，該芯片已進入客戶送樣階段。瀾起科技同步提供完整的參考設計套件 (RDK)，助力客戶快速構建與驗證CXL內(nèi)存擴展解決方案。
客戶與合作伙伴的評價與反饋：
三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃副總裁Jangseok Choi表示：“作為CXL技術聯(lián)盟的核心成員，我們非常高興看到瀾起科技推出符合最新CXL標準的內(nèi)存擴展控制器。該芯片的高帶寬與卓越內(nèi)存池化能力，與三星的CXL內(nèi)存解決方案強強協(xié)同。我們期待雙方更緊密合作，共同推動下一代內(nèi)存解耦架構在AI計算領域的廣泛應用。”
SK海力士下一代產(chǎn)品規(guī)劃與賦能部門負責人Uksong Kang評價：“在內(nèi)存技術不斷突破創(chuàng)新的進程中，瀾起對技術創(chuàng)新的執(zhí)著和對高品質解決方案的追求令我們深感欽佩。M88MX6852樣品符合CXL 3.1標準，其成功交付充分彰顯了瀾起在該領域的專業(yè)實力和領先地位。我們相信，這款產(chǎn)品將對下一代系統(tǒng)的發(fā)展產(chǎn)生重要影響，也期待與瀾起持續(xù)深化合作，共同開拓CXL生態(tài)中的創(chuàng)新機遇與發(fā)展空間?！?br>
AMD數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)與解決方案副總裁Raghu Nambiar認為：“CXL內(nèi)存擴展與分層是未來數(shù)據(jù)中心計算的基礎性技術，尤其有助于構建異構內(nèi)存架構。瀾起科技的CXL 3.1技術方案與我們降低數(shù)據(jù)中心TCO的目標不謀而合。這一合作將加速內(nèi)存分層與擴展技術在AI和云工作負載場景中的應用落地?！?br>
英特爾高級研究員Ronak Singhal指出：“隨著數(shù)據(jù)中心對低延遲和高帶寬需求的不斷增長，客戶愈發(fā)青睞靈活的內(nèi)存架構。目前，英特爾?至強?處理器已提供強勁性能。作為 CXL聯(lián)盟創(chuàng)始成員，我們樂見瀾起科技推出CXL 3.1內(nèi)存擴展器——這是邁向可擴展內(nèi)存架構和拓展CXL生態(tài)系統(tǒng)的重要一步?！?br>Contacts
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瀾起科技CXL? 3.1內(nèi)存擴展控制器（MXC）
