AI服務(wù)器帶動業(yè)績增長，存儲芯片市場格局生變

近年來，全球AI服務(wù)器需求持續(xù)攀升，直接拉動了服務(wù)器廠商及上游芯片企業(yè)的業(yè)績。

戴爾科技公布2026財年第一財季（截至2025年5月2日）財報，單季營收達到233.8億美元，同比增長5%；non-GAAP營業(yè)利潤為17億美元，增長10%；凈利潤達11億美元，同比增長13%。在AI服務(wù)器領(lǐng)域，戴爾第一財季服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)部門營收達63億美元，創(chuàng)下新高。戴爾首席運營官杰夫·克拉克表示，季度AI訂單額高達121億美元，已超去年全年出貨量。截至當(dāng)前，戴爾仍積壓有144億美元訂單。公司預(yù)計下一財季AI服務(wù)器出貨約70億美元，大幅領(lǐng)先去年同期水平。

另外，富士康作為英偉達AI服務(wù)器的重要合作伙伴，也因AI服務(wù)器熱銷，2025年第一季度營收同比增長24.2%，凈利潤達到421.2億新臺幣（13.9億美元），同樣超出市場預(yù)估。公司預(yù)計，二季度AI服務(wù)器業(yè)務(wù)將延續(xù)兩位數(shù)增長態(tài)勢，出貨進一步提速。

芯片方面，英偉達明確，將于今年下半年引入新一代Blackwell Ultra GPU，搭載12層HBM3e顯存，可實現(xiàn)8TB/s的帶寬。到2026年下半年，公司將推出Vera Rubin系列，屆時內(nèi)存容量與帶寬將進一步提升。此外，未來Vera Rubin Ultra計劃將CPU與Rubin Ultra（四芯片GPU）集成，預(yù)計2027年問世。

HBM市場競逐加速，三星與SK海力士各展拳腳

面對AI服務(wù)器爆發(fā)式增長，高帶寬存儲器（HBM）需求快速上升。三星電子最新季報會議透露，下半年將加快12層堆疊HBM3E量產(chǎn)進度，目前正沖刺英偉達產(chǎn)品認證，目標(biāo)7~8月完成認證工作。如果2025年未能如期供貨，三星或?qū)⑿拚銱BM3E策略，轉(zhuǎn)投下一代HBM產(chǎn)品線。

SK海力士已領(lǐng)先推出16層堆疊HBM3E，帶寬高達1.2TB/s，主要用于英偉達最新Blackwell Ultra集群。該公司新一代HBM4單顆最大容量48GB，帶寬可達2.0TB/s，預(yù)計2025年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)并迅速放量。

另一邊，三星正與多家客戶聯(lián)合開發(fā)基于HBM4的定制方案，計劃今年下半年量產(chǎn)，2026年起面向市場供應(yīng)。制程方面，SK海力士與美光均已采用1b DRAM工藝制造HBM4，而三星則計劃更進一步，布局1c DRAM，并在韓國平澤及華城工廠擴產(chǎn)。三星平澤第四園區(qū)1c DRAM生產(chǎn)線已投入運營，后續(xù)還將持續(xù)擴能。

DDR4減產(chǎn)，DDR5與HBM成未來主流

隨著技術(shù)升級，主流存儲逐步向DDR5和HBM切換。三星已決定自2025年4月起停產(chǎn)部分8GB DDR4（1y/1z工藝）產(chǎn)品，客戶最后下單期限為6月。SK海力士與美光也同步減少DDR4產(chǎn)能，產(chǎn)線逐步向DDR5、HBM類產(chǎn)品轉(zhuǎn)移。

美光表示，將集中資源擴充HBM產(chǎn)能，同時在公司內(nèi)部設(shè)立專門業(yè)務(wù)單元服務(wù)云端數(shù)據(jù)中心客戶，足見高性能內(nèi)存正成為AI發(fā)展的關(guān)鍵一環(huán)。

設(shè)備端，SEMI報告顯示，由于前后端晶圓及封裝需求提升，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資預(yù)計增長至1171億美元，后端設(shè)備投資增速顯著，主要受益于HBM封裝需求增加。

據(jù)TrendForce預(yù)計，2026年全球HBM出貨量有望突破300億Gb。其中，HBM4將在下半年超越HBM3e，成為市場主流解決方案。