MT41K512M8RH-125IT:E

描述

DDR3L SDRAM（ 1.35V ）是一個低電壓版本DDR3 SDRAM （ 1.5V ） 。

• TC0° C至+ 95°C

- 64毫秒， 8192周期刷新在0 ° C至+ 85°C

- 為32ms ，在+ 85 ° C至+ 95°C

•自刷新溫度（ SRT ）

•自動自刷新（ ASR ）

•寫練級

•多用途寄存器

•輸出驅(qū)動器校準(zhǔn)

特點

• VDD= VDDQ= 1.35V (1.283–1.45V)

•向后兼容到VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V

- 支持DDR3L設(shè)備落后的COM

兼容于1.5V的應(yīng)用

•差分雙向數(shù)據(jù)選通

• 8N位預(yù)取架構(gòu)

•差分時鐘輸入（ CK ， CK ＃ ）

• 8個內(nèi)部銀行

•額定動片上端接（ ODT ）

數(shù)據(jù)，頻閃和屏蔽信號

•可編程CAS （ READ ）延遲（ CL ）

•可編程Posted CAS附加延遲（ AL ）

•可編程CAS （寫）延遲（ CWL ）

•修正了突發(fā)長度為8 （ BL ）和4爆裂斬（ BC）

（通過模式寄存器集[劉健] ）

•可選BC4或BL8上的即時（ OTF ）

•自刷新模式

選項

•配置

- 1千兆×4

- 512梅格×8

- 梅格256 ×16

• FBGA封裝（無鉛） - X4，X8

- 78球（ 10.5毫米x 12毫米） Rev. D的

- 78球（9毫米X 10.5毫米）修訂版E，J

• FBGA封裝（無鉛） - X16

- 96球（ 10毫米x10 14毫米） Rev. D的

- 96球（9毫米X 14毫米）英文內(nèi)容

•時間 - 周期時間

- 1.071ns @ CL = 13 （ DDR3-1866 ）

- 1.25ns @ CL = 11 （ DDR3-1600 ）

- 1.5ns @ CL = 9 （ DDR3-1333 ）

- 1.87ns @ CL = 7 （ DDR3-1066 ）

•工作溫度

- 商用（0°C≤TC≤+95°C)

- 工業(yè)（ -40°C≤TC≤+95°C)

•修訂

記號

1G4

512M8

256M16

RARHREHA

-107

-125

-15E

-187E

無IT