關(guān)鍵詞：IRFR3710ZTRPBF 先進(jìn)的工藝技術(shù)

描述：

這HEXFET®功率MOSFET利用最新的加工技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻每硅片面積。另外這種設(shè)計(jì)的特點(diǎn)是一個(gè)175 ℃的結(jié)工作溫度，快速開關(guān)速度和改進(jìn)型重復(fù)雪崩額定值。這些特點(diǎn)相結(jié)合，使這個(gè)設(shè)計(jì)非常高效，可靠的裝置用于在一個(gè)寬的使用各種應(yīng)用程序。

特點(diǎn)：

先進(jìn)的工藝技術(shù)

超低導(dǎo)通電阻

175 ° C工作溫度

快速開關(guān)

重復(fù)性雪崩中允許多達(dá)TJMAX

多種封裝選擇

LEAD -FREE