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IRFR110

DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR110

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR110

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR110,SiHFR110) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR110A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFR110A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR110ATM

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFR110ATM

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IRFR110PBF

HEXFET?PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni

IRF

International Rectifier

IRFR110PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR110PBF

DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    INA110KP

  • 功能描述：

    儀表放大器 Fast-Settling FET-In Very High Accuracy

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 輸入補(bǔ)償電壓：

    150 V

  • 最大輸入電阻：

    10 kOhms

  • 共模抑制比（最小值）：

    88 dB

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 36 V

  • 電源電流：

    200 uA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 封裝/箱體：

    MSOP-8

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
BB
DIP-16+
1400
全新原裝絕對(duì)優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨特價(jià)!
 詢(xún)價(jià)
TI/德州儀器
24+
DIP-16
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
 詢(xún)價(jià)
BURR-BROWN
24+
DIP-16
141
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
Texas Instruments
25+
DIP-16
18000
TI優(yōu)勢(shì)渠道,大量原裝庫(kù)存現(xiàn)貨,交期快,歡迎詢(xún)價(jià)。
 詢(xún)價(jià)
TI/BB
23+
DIP-16
213
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢(xún)價(jià)
BB/TI
24+
DIP16
5125
全新原裝現(xiàn)貨,歡迎詢(xún)購(gòu)!!
 詢(xún)價(jià)
TI
2021+
PDIP16
6800
原廠原裝,歡迎咨詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
BURR-BROWN
2023+
DIP
53200
正品,原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
TI(德州儀器)
24+
PDIP-16
7810
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢(xún)價(jià)
TI
2025+
DIP
3485
全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣(mài)
 詢(xún)價(jià)
更多INA110KP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-24 15:57:00

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