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IMZA65R072M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IMZA65R072M1H
廠商型號

IMZA65R072M1H

參數(shù)屬性

IMZA65R072M1H 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

功能描述

650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

絲印標(biāo)識(shí)

65R072M1

封裝外殼

PG-TO247-4-3

文件大小

1.4748 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-9 20:00:00

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IMZA65R072M1H規(guī)格書詳情

IMZA65R072M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMZA65R072M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IMZA65R072M1HXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    28A(Tc)

  • 描述:

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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