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IMZA120R030M1H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IMZA120R030M1H
廠商型號

IMZA120R030M1H

功能描述

CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

絲印標(biāo)識

12M1H030

封裝外殼

PG-TO247-4-STD-NT3.7

文件大小

1.55945 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-1 17:32:00

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IMZA120R030M1H規(guī)格書詳情

特性 Features

? VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C

? IDDC = 70 A at Tc = 25°C

? RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

? Very low switching losses

? Short circuit withstand time 3 μs

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V

? Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

? Robust body diode for hard commutation

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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TO-247-3
240
原裝現(xiàn)貨 假一賠十
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Infineon/英飛凌
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全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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