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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF122	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFD122	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFF122	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
ISCD122	文件：251.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISCI122P	文件：222.07 Kbytes Page：2 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISO122	文件：188.07 Kbytes Page：13 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
ISO122	文件：762.18 Kbytes Page：20 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
ISO122	文件：1.05304 Mbytes Page：26 Pages	PrecisionLowest-CostIsolationAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
ISO122	文件：617.79 Kbytes Page：27 Pages	ISO122PrecisionLowest-CostIsolationAmplifier 1Features 1?100%TestedforHigh-VoltageBreakdown ?Rated1500Vrms ?HighIMR:140dBat60Hz ?BipolarOperation:VO=±10V ?16-PinPlasticDIPand28-LeadSOIC ?EaseofUse:FixedUnityGainConfiguration ?0.020%MaximumNonlinearity ?±4.5-Vto±18-VSupplyRange 2A	TI2Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI2
ISO122JP	文件：188.07 Kbytes Page：13 Pages	PrecisionLowestCostISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN

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