首頁>IMBG65R163M1H>規(guī)格書詳情
IMBG65R163M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMBG65R163M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMBG65R163M1H 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO263-7-12 |
| 文件大小 |
1.54908 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-9 17:30:00 |
| 人工找貨 | IMBG65R163M1H價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IMBG65R163M1H規(guī)格書詳情
IMBG65R163M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R163M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IMBG65R163M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
20+ |
- |
1000 |
詢價 | |||
FUJITSU富士通 |
25+ |
TO-3PL |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進口原裝 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2025 |
910 |
全新、原裝 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
SMD |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價 | ||
FUJITSU |
23+ |
TO-3PL |
32642 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價 | ||
FUJI/富士電機 |
23+ |
TO-3PL |
58000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
INFINEON |
25+ |
原封裝 |
9755 |
鄭重承諾只做原裝進口貨 |
詢價 |
