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IMBG65R048M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IMBG65R048M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMBG65R048M1H 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PG-TO263-7-12 |
| 文件大小 |
1.59553 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-8 23:00:00 |
| 人工找貨 | IMBG65R048M1H價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IMBG65R048M1H規(guī)格書(shū)詳情
IMBG65R048M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R048M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IMBG65R048M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到現(xiàn)貨,只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
SMD |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
20+ |
- |
1000 |
詢價(jià) | |||
N/A |
24+ |
N/A |
7548 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
25+ |
原封裝 |
51220 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2 |
詢價(jià) |
