描述 Description

為了進(jìn)一步提高 TrenchStop ?5IGBT 技術(shù)的出色性能，英飛凌在高功率封裝中提供了額外的 Kelvin 發(fā)射極引腳。TO-247 4 引腳為柵極-發(fā)射極控制環(huán)路提供了超低電感，使得 TRENCHSTOP?5 IGBT 能夠達(dá)到同類中較為出色的開關(guān)性能。通過采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247 封裝體并添加額外第4針來啟用 Kelvin 發(fā)射極配置。

特性 Features

? 極低的控制電感環(huán)路
? 用于驅(qū)動器反饋的發(fā)射極引腳
? 與標(biāo)準(zhǔn) TO-247 封裝相同的集電極發(fā)射極的爬電距離
? 與采用相同技術(shù)的 TO-247 封裝相比，總開關(guān)損耗降低 20％

優(yōu)勢:
? 與標(biāo)準(zhǔn)TO-247相比，系統(tǒng)效率得到提高
? 高電流條件下的效益增加
? IGBT在較低的結(jié)溫度下工作
? 過電流條件下的功耗更小

應(yīng)用 Application

? 不間斷電源
? 數(shù)據(jù)中心
? 通信整流器
? 光伏逆變器
? 服務(wù)器

簡介

IKZ75N65NH5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IKZ75N65NH5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。