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首頁(yè)>IKW25N120T>芯片詳情

IKW25N120T_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A廣霖泰科技

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  • 廠家型號(hào)：

    IKW25N120T

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    60000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-26 17:36:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IKW25N120T品牌：INFINEON

只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨原盒原標(biāo)，力挺實(shí)單 價(jià)格美過(guò)西施 歡迎詢價(jià)

  • 芯片型號(hào)：

    IKW25N120T2

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    464.33 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IKW25N120T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市廣霖泰科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    謝功名

  • 手機(jī)：

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