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IHW30N100R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IHW30N100R |
參數(shù)屬性 | IHW30N100R 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 |
功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
370.91 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-3 10:50:00 |
人工找貨 | IHW30N100R價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IHW30N100R規(guī)格書詳情
IHW30N100R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW30N100R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IHW30N100R
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
2.1mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
-/846ns
- 測(cè)試條件:
600V,30A,26 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
PG-TO247-3 |
8866 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
3P |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
8500 |
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價(jià)出售 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+24 |
TO-247 |
49820 |
主營全系列二三極管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
21+ |
TO-247 |
120 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
英飛翎 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
19+ |
3P |
50000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
con |
2500 |
優(yōu)勢(shì)庫存,原裝正品 |
詢價(jià) |