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IHW20N120R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IHW20N120R2 |
參數(shù)屬性 | IHW20N120R2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A 330W TO247-3 |
功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | PG-TO-247-3-21 / TO-247-3 |
文件大小 |
375.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-23 20:00:00 |
人工找貨 | IHW20N120R2價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IHW20N120R2規(guī)格書詳情
IHW20N120R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW20N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Features:
? Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
? Body diode clamps negative voltages
? Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
? NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
? Low EMI
? Qualified according to JEDEC1 for target applications
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
Applications:
? Inductive Cooking
? Soft Switching Applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IHW20N120R2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT,溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.75V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
1.2mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
-/359ns
- 測試條件:
600V,20A,15 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
3280 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
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