描述 Description

第 3 代逆導(dǎo)型 1200 V、15 A TRENCHSTOP? RC-IGBT3，采用單片集成逆導(dǎo)型二極管在 TO-247 中封裝，進行優(yōu)化實現(xiàn)了更低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。降低的功耗和軟開關(guān)行為，可實現(xiàn)更好的熱性能和電磁干擾行為，從而降低系統(tǒng)成本。降低成本同時實現(xiàn)優(yōu)異性能。

特性 Features

? 一流的 VCEsat 和 Vf 傳導(dǎo)屬性
? 開關(guān)損耗低，效率高
? Tj(max) = 175°C
? 低電磁干擾的軟電流關(guān)斷波形

優(yōu)勢:
? 功耗低
? 更好的熱量管理
? 浪涌電流能力可降低電磁干擾濾波要求
? 降低系統(tǒng)成本
? 電流峰值時可實現(xiàn)高可靠性

簡介

IHW15N120R3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IHW15N120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。