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IHW15N120E1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IHW15N120E1 |
| 參數(shù)屬性 | IHW15N120E1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247 |
| 功能描述 | Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.90384 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-16 18:19:00 |
| 人工找貨 | IHW15N120E1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IHW15N120E1規(guī)格書詳情
IHW15N120E1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW15N120E1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IHW15N120E1XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT 和溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
300μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3
- 描述：
IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
TO-247 |
1200 |
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500 |
原裝正品 |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原裝正品 |
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