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IGW50N65H5A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGW50N65H5A
廠商型號

IGW50N65H5A

參數(shù)屬性

IGW50N65H5A 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

功能描述

High speed switching series fifth generation
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.85098 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-6 20:00:00

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IGW50N65H5A規(guī)格書詳情

IGW50N65H5A屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGW50N65H5A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IGW50N65H5AXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    450μJ(開),160μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    21ns/173ns

  • 測試條件:

    400V,25A,12 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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