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IGW40N65H5分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IGW40N65H5 |
| 參數(shù)屬性 | IGW40N65H5 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 650V 74A TO247-3 |
| 功能描述 | High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
2.48832 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產廠商 | Infineon |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網址 | |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 22:08:00 |
| 人工找貨 | IGW40N65H5價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IGW40N65H5規(guī)格書詳情
IGW40N65H5屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IGW40N65H5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號：
IGW40N65H5FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，40A
- 開關能量：
390μJ（開），120μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
22ns/165ns
- 測試條件：
400V，20A，15 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
PG-TO247-3
- 描述：
IGBT 650V 74A TO247-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
Infineon technologies |
21+ |
57 |
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Infineon(英飛凌) |
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