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IGW15T120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGW15T120
廠商型號(hào)

IGW15T120

參數(shù)屬性

IGW15T120 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A TO247-3

功能描述

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology
IGBT 1200V 30A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

408.96 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-7 20:00:00

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IGW15T120規(guī)格書詳情

IGW15T120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGW15T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Low Loss IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology

? Approx. 1.0V reduced VCE(sat) compared to BUP313

? Short circuit withstand time – 10μs

? Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

? TrenchStop? and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

? NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Low Gate Charge

? Qualified according to JEDEC1 for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IGW15T120FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    2.7mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    50ns/520ns

  • 測試條件:

    600V,15A,56 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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