IGW15T120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IGW15T120 |
參數(shù)屬性 | IGW15T120 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A TO247-3 |
功能描述 | Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
408.96 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-9-7 20:00:00 |
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IGW15T120規(guī)格書詳情
IGW15T120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGW15T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Low Loss IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology
? Approx. 1.0V reduced VCE(sat) compared to BUP313
? Short circuit withstand time – 10μs
? Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
? TrenchStop? and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
? NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)
? Low EMI
? Low Gate Charge
? Qualified according to JEDEC1 for target applications
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IGW15T120FKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT,溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,15A
- 開關(guān)能量:
2.7mJ
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
50ns/520ns
- 測試條件:
600V,15A,56 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1200V 30A TO247-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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