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HYG850P10LR1D數(shù)據(jù)手冊Huayi中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

HYG850P10LR1D

功能描述

P MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名稱

華羿微電 華羿微電子股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-15 20:00:00

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HYG850P10LR1D規(guī)格書詳情

描述 Description

此器件為-100V、76mΩ、TO-252-2L封裝產(chǎn)品,采用Trench流片工藝,該器件應(yīng)用在防盜報(bào)警器、保護(hù)板等應(yīng)用領(lǐng)域。

特性 Features

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)??
100% DVDS測試
100% UIL測試
領(lǐng)先的封裝工藝

應(yīng)用 Application

防盜報(bào)警器、保護(hù)板

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :HYG850P10LR1D

  • 生產(chǎn)廠家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :-26

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :100

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :110

  • PD@TC=25℃ (W)

    :139

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :-1.3~-2.7

  • Ciss Typ(pF)

    :2656

  • Qg Typ(nC)

    :53

  • Configuration

    :Single - P

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :電池保護(hù)板 / 防盜報(bào)警器

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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