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HYG180N10LS1V數(shù)據(jù)手冊Huayi中文資料規(guī)格書

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廠商型號

HYG180N10LS1V

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名稱

華羿微電 華羿微電子股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-15 16:49:00

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HYG180N10LS1V規(guī)格書詳情

描述 Description

此器件為100V、15.8mΩ、TO-251-3S封裝產(chǎn)品,采用SGT流片工藝,該器件可滿足如電機控制、DC-DC等應(yīng)用領(lǐng)域。

特性 Features

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)??
100% DVDS測試
100% UIL測試
提升系統(tǒng)效率
領(lǐng)先的封裝工藝

應(yīng)用 Application

電機控制,DC-DC

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :HYG180N10LS1V

  • 生產(chǎn)廠家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :48

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :21

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :75

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :1632

  • Qg Typ(nC)

    :26.6

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-251-3S

  • Application

    :電機驅(qū)動 / DC-DC

  • Status

    :MP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
華羿微
兩年內(nèi)
NA
792
實單價格可談
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